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关于太阳能板效率损失的原因：

1、低能光子能量的损失。当太阳能板中光子能量小于半导体的带隙时，光子将直接穿透半导体材料，不被吸收也不产生电子空穴对，该部分光的能量约损失了26％。

2、高能光于能量的损失。当光子能量大干或等于半导体的带隙时，光子将被半导体材料吸收，而光子大干半导体带隙的能量将以热的形式释放出来，该部分光的能量约损失了40%。

3、吸收效率与反射的损失。并非所有的半导体材料对光都有相同的吸收能力，光吸收系数较大的半导体材料以较薄的厚度所吸收到的光子量与光吸收系数较小的半导体材料以较厚的厚度所吸收到的光子量相同。入射的光子虽属于有效光，但却因表面反射造成反射损失。太阳能板表面反射的原因是(1)所在电极表面的直接反射。(2)因半导体材料与空气折射率不同建成的反射。

4、开路电压的损失。因光线所生成的载流子，在PN结中因空间电荷区的电场而移动，使得电荷两较化，并产生电压。在PN结中，光伏发电哪家好，由掺杂不纯物浓度确定的扩散电势所释放的电力无法被取出，这个损失称为电压因子损失，约为40%。

太阳能板？它有什么特性?如何区分？

（1）单晶硅太阳能电池

目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，较i高的达到24％，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率较i高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，较i高可达25年。

（2）多晶硅太阳能电池

多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12％左右 (2004年7月1日日本夏普上市效率为14.8%的世界较i高效率多晶硅太阳能电池)。 从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。

（3）非晶硅太阳能电池

非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。

（4）多元化合物太阳电池

多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的品种繁多，大多数尚未工业化生产，主要有以下几种：

a) i化镉太阳能电池

b) 铜铟太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In， Ga)Se2薄膜太阳能电池)

Cu(In， Ga)Se2是一种性能优良太阳光吸收材料，具有梯度能带间隙（导带与价带之间的能级差）多元的半导体材料，可以扩大太阳能吸收光谱范围，光伏发电，进而提高光电转化效率。以它为基础可以设计出光电转换效率比硅薄膜太阳能电池明显提高的薄膜太阳能电池。可以达到的光电转化率为18％，光伏发电大棚，而且，光伏发电国家补贴，此类薄膜太阳能电池到目前为止，未发现有光辐射引致性能衰退效应（SWE），其光电转化效率比目前商用的薄膜太阳能电池板提高约50~75%，在薄膜太阳能电池中属于世界的较i高水平的光电转化效率。